Показано, що в умовах розвиненої поверхні напівпровідникових матеріалів теплову
обробку можна проводити скануючим рухом лазерного променя. Запропоновано алгоритм швидкого вибору траєкторії сканування, який забезпечує мінімізацію енерговитрат і часу обробки, одночасно забезпечуючи її повноту.
Показано, что в условиях развитой поверхности полупроводниковых материалов тепловую обработку можно проводить сканирующим движением лазерного луча. Предложен алгоритм быстрого выбора траектории сканирования, который обеспечивает минимизацию энергозатрат и времени обработки, одновременно обеспечивая ее полноту.
It is shown, that in conditions of the semiconductor materials advanced surface thermal processing can be carried by scanning movement of a laser beam. The algorithm of a fast choice of a trajectory of scanning which provides minimization of power inputs and time of processing, providing, at the same time, his completeness is offered.
