Дослідження параметрів датчиків температури у цифрових сенсорних мережах - Горбачов, В. Е.; Яровий, Д. О. (Одеса : Міжнародний університет, 2025)
У роботі проведено експериментальні дослідження термочутливих властивостей польових транзисторів типів FEJT та MOSFET для створення високочутливих датчиків температури, придатних до використання у цифрових сенсорних мережах. Встановлено залежність струму насичення від температури та визначено чутливість детекторів. Запропоновано схеми мостового з’єднання транзисторів, які дозволяють суттєво підвищити чутливість і виправити лінійність вихідної характеристики датчиків при низькому енергоспоживанні. Крім того, мостові схеми характеризуються підвищеною стабільністю відносно змінень напруги живлення.
Горбачов В. Е. Дослідження параметрів датчиків температури у цифрових сенсорних мережах / В. Е. Горбачов, Д. О. Яровий // Передові технології в інформаційно-комунікаційній інженерії (ATICE'2025) : зб. матеріалів міжнар. конф. (зимовий форум) / відп. ред. І. М. Соловська, Д. М. Розенвассер. – Одеса : Міжнародний університет, 2025. – C. 42-44. – Режим доступу: https://doi.org/10.32837/11300.31334
Keywords: польові транзистори; датчикі температури; цифрові сенсорні мережі