Дослідження параметрів датчиків температури у цифрових сенсорних мережах

Abstract

У роботі проведено експериментальні дослідження термочутливих властивостей польових транзисторів типів FEJT та MOSFET для створення високочутливих датчиків температури, придатних до використання у цифрових сенсорних мережах. Встановлено залежність струму насичення від температури та визначено чутливість детекторів. Запропоновано схеми мостового з’єднання транзисторів, які дозволяють суттєво підвищити чутливість і виправити лінійність вихідної характеристики датчиків при низькому енергоспоживанні. Крім того, мостові схеми характеризуються підвищеною стабільністю відносно змінень напруги живлення.